Описание

В основном используется для резки материалов, таких как Si, SiC, GaN, Molded WLP и т.д.

Особенности изделия:

• Технология лазерной резки по нескольким точкам. Качественная обработка специфических материалов (кремниевая подложка).
• Функция автоматического нанесения клея, чистки.
• Функция автоматической загрузки и разгрузки, функционирование в полностью автоматическом режиме.

Параметры оборудования:

• Максимальная выходная мощность лазера: 15 Вт (менее 50 кГц)
• Частота повторения: 0-500 кГц (основная рабочая частота 50 кГц)
• Диаметры кремниевых полупроводниковых пластин, подходящих для резки: 6 дюймов, 8 дюймов и 12 дюймов
• Максимальный диапазон резки по оси X, Y: 400 × 400 мм
• Точность повторного позиционирования по оси X, Y: ±1мкм, прямолинейность по оси X: ± 1 мкм/300 мм
• Точность повторного позиционирования по оси Z: ± 1 мкм
• Угол поворота по оси θ: 120 °; коэффициент разрешения вращение вокруг оси θ: 1arc-sec.